收录类型
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主要栏目
收稿范围
1. 半导体材料与器件
半导体物理、材料生长、表征技术。
二极管、晶体管、光电器件等半导体器件的设计与制造。
2. 集成电路设计与应用
模拟与数字集成电路设计。
集成电路制造工艺、测试与可靠性分析。
3. 微电子机械系统(MEMS)
MEMS设计与制造技术。
MEMS在传感器、执行器等领域的应用。
4. 纳米电子学
纳米材料在电子学中的应用。
纳米器件的设计与性能研究。
5. 光电子学与量子电子学
激光器、探测器等光电子器件的研究。
量子计算、量子通信等相关技术。
6. 电子材料与器件物理
新型电子材料的物理特性研究。
器件物理模型与仿真技术。
7. 功率电子与能源器件
功率半导体器件与模块。
太阳能电池、燃料电池等能源转换器件。
8. 电子封装与互连技术
先进封装技术与材料。
三维集成与系统级封装。
9. 其他相关领域
固体电子学中的新理论、新技术、新方法。
电子学在通信、计算机、医疗等领域的应用。
杂志格式要求
一、基本结构要求
标题
中英文对照,简明扼要,不超过20字。
避免使用缩写或代号。
作者信息
署名作者需提供中文姓名、单位全称、所在城市及邮编。
通讯作者标注“*”,并附邮箱和联系电话。
摘要与关键词
中文摘要:结构式摘要(目的、方法、结果、结论),300字以内。
英文摘要(与中文对应):包括标题、作者姓名(拼音)、单位英文名称。
关键词:3~8个,中英文对照。
正文格式
研究论文:按“引言→材料与方法→结果→讨论→结论”顺序撰写。
综述:需体现系统性,包含研究进展、争议问题及未来方向。
二、具体格式细节
文字与排版
中文使用宋体,英文使用Times New Roman,字号12磅,1.5倍行距。
正文层次标题用“1、1.1、1.1.1”分级编号,左顶格。
图表要求
表格:采用三线表,序号按“表1、表2”排序,中英文标题置于表上方。
图片:清晰原图(分辨率≥300 dpi),格式为JPG/TIFF,序号按“图1、图2”排序,中英文标题置于图下方。
计量单位
采用国际单位制(SI),如“mg/kg”“mL”等,勿使用“克/升”等非标准表达。
参考文献
格式:参照《GB/T 7714-2015》标准,采用顺序编码制。
数量:研究论文不少于15篇,综述不少于30篇,近5年文献占比≥50%。
三、伦理与声明
伦理审批
涉及人体或动物的研究需注明伦理审查批号,并附机构伦理委员会批准文件。
基金标注
注明资助项目(如“国家自然科学基金项目(No. XXXXXX)”),置于首页脚注。
联系方式
地 址:南京1601信箱43分箱
邮政编码:210016