收录类型
北大期刊(中国人文社会科学期刊) 统计源期刊(中国科技论文优秀期刊) 知网收录(中) 维普收录(中) 万方收录(中) CA 化学文摘(美) SA 科学文摘(英) JST 日本科学技术振兴机构数据库(日) Pж(AJ) 文摘杂志(俄) 剑桥科学文摘 国家图书馆馆藏 上海图书馆馆藏期刊荣誉
Caj-cd规范获奖期刊 中国优秀期刊遴选数据库 中国期刊全文数据库(CJFD) 中国科技期刊优秀期刊 北大图书馆收录期刊期刊简介
主要栏目
收稿范围
1. 半导体材料研究
新型半导体材料:硅、锗、砷化镓、氮化镓等。
材料特性与制备技术:晶体生长、薄膜沉积、掺杂技术等。
2. 半导体器件与集成电路
二极管、晶体管、MOSFET、LED、激光二极管等器件设计与制造。
模拟与数字集成电路设计、制造工艺、测试技术。
3. 微纳加工技术
光刻、蚀刻、离子注入、化学机械抛光等微纳加工工艺。
纳米技术在半导体制造中的应用。
4. 半导体物理与器件物理
载流子输运、能带结构、量子效应等基础物理研究。
器件物理模型与仿真技术。
5. 半导体封装与测试
芯片封装技术、3D封装、系统级封装(SiP)。
可靠性测试、失效分析、质量控制。
6. 半导体应用技术
半导体在通信、计算机、消费电子、汽车电子等领域的应用。
功率半导体、射频半导体、光电器件等特种半导体技术。
7. 半导体设备与制造
半导体制造设备、工艺控制、自动化技术。
智能制造、工业4.0在半导体制造中的应用。
8. 半导体市场与产业
半导体产业链分析、市场趋势、政策法规。
国际合作与竞争、技术转让与知识产权。
9. 其他相关领域
半导体教育、人才培养、技术创新。
环保与可持续发展在半导体产业中的实践。
杂志格式要求
一、基本结构要求
标题
中英文对照,简明扼要,不超过20字。
避免使用缩写或代号。
作者信息
署名作者需提供中文姓名、单位全称(至二级部门,如“XX大学电子工程系”)、所在城市及邮编。
通讯作者标注“*”,并附邮箱和联系电话。
摘要与关键词
中文摘要:结构式摘要(目的、方法、结果、结论),300字以内。
英文摘要(与中文对应):包括标题、作者姓名(拼音)、单位英文名称。
关键词:3~8个,中英文对照,优先选用《半导体技术主题词表》中的术语。
正文格式
研究论文:按“引言(背景与目的)→材料与方法→结果→讨论→结论”顺序撰写。
综述:需体现系统性,包含研究进展、争议问题及未来方向。
技术报告:需附实验数据及分析。
二、具体格式细节
文字与排版
中文使用宋体,英文使用Times New Roman,字号12磅,1.5倍行距。
正文层次标题用“1、1.1、1.1.1”分级编号,左顶格。
图表要求
表格:采用三线表,序号按“表1、表2”排序,中英文标题置于表上方。
图片:清晰原图(分辨率≥300 dpi),格式为JPG/TIFF,序号按“图1、图2”排序,中英文标题置于图下方。
图表中数据需与正文一致,避免重复。
计量单位
采用国际单位制(SI),如“nm”“μm”等,勿使用“纳米”“微米”等非标准表达。
统计学符号(如
t
检验、P
值)用斜体。
参考文献
格式:参照《GB/T 7714-2015》标准,采用顺序编码制。
数量:研究论文不少于15篇,综述不少于30篇,近5年文献占比≥50%。
示例:
期刊:
[1] 张某某, 李某某. 半导体材料研究进展[J]. 半导体技术, 2023, 48(5): 12-15.
书籍:
[2] Smith J. Semiconductor Devices[M]. New York: Springer, 2020: 45-50.
三、伦理与声明
伦理审批
涉及人体或动物的研究需注明伦理审查批号,并附机构伦理委员会批准文件。
基金标注
注明资助项目(如“国家自然科学基金项目(No. XXXXXX)”),置于首页脚注。
作者贡献声明
明确各作者贡献(如实验设计、数据分析、论文撰写等)。
联系方式
地 址:石家庄市合作路113号
邮政编码:50051