收录类型
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主要栏目
收稿范围
1. 半导体器件与技术
半导体材料:硅、锗、砷化镓、氮化镓等。
器件制造技术:光刻、蚀刻、掺杂、薄膜沉积等。
新型半导体器件:FinFET、纳米线晶体管、量子点器件等。
2. 微电子与集成电路
模拟与数字集成电路设计。
系统级芯片(SoC)与三维集成电路。
低功耗与高性能集成电路技术。
3. 光电子器件与技术
激光器、发光二极管(LED)、光电探测器等。
光纤通信与光互连技术。
太阳能电池与光伏技术。
4. 传感器与执行器
MEMS/NEMS传感器与执行器。
生物传感器与环境传感器。
智能传感器网络。
5. 显示技术
液晶显示(LCD)、有机发光二极管(OLED)等。
柔性显示与透明显示技术。
3D显示与虚拟现实(VR)技术。
6. 电力电子器件
功率半导体器件:IGBT、MOSFET、SiC、GaN等。
电力电子变换器与控制系统。
新能源发电与储能技术。
7. 射频与微波器件
射频集成电路(RFIC)与微波器件。
天线设计与无线通信技术。
5G/6G通信技术与毫米波器件。
8. 电子封装与可靠性
先进封装技术:3D封装、晶圆级封装等。
电子器件可靠性分析与测试。
热管理与散热技术。
9. 其他相关领域
纳米电子学与量子计算。
生物电子学与医疗电子器件。
人工智能与边缘计算器件。
杂志格式要求
一、基本结构要求
标题
中英文对照,简明扼要,不超过20字。
避免使用缩写或代号。
作者信息
署名作者需提供中文姓名、单位全称(至二级部门,如“XX大学电子工程学院”)、所在城市及邮编。
通讯作者标注“*”,并附邮箱和联系电话。
摘要与关键词
中文摘要:结构式摘要(目的、方法、结果、结论),300字以内。
英文摘要(与中文对应):包括标题、作者姓名(拼音)、单位英文名称。
关键词:3~8个,中英文对照,优先选用《电子工程术语》中的术语。
正文格式
研究论文:按“引言(背景与目的)→材料与方法→结果→讨论→结论”顺序撰写。
综述:需体现系统性,包含研究进展、争议问题及未来方向。
技术报告:需附实验数据及分析。
二、具体格式细节
文字与排版
中文使用宋体,英文使用Times New Roman,字号12磅,1.5倍行距。
正文层次标题用“1、1.1、1.1.1”分级编号,左顶格。
图表要求
表格:采用三线表,序号按“表1、表2”排序,中英文标题置于表上方。
图片:清晰原图(分辨率≥300 dpi),格式为JPG/TIFF,序号按“图1、图2”排序,中英文标题置于图下方。
图表中数据需与正文一致,避免重复。
计量单位
采用国际单位制(SI),如“V”、“A”等,勿使用“伏特”、“安培”等非标准表达。
统计学符号(如
t
检验、P
值)用斜体。
参考文献
格式:参照《GB/T 7714-2015》标准,采用顺序编码制。
数量:研究论文不少于15篇,综述不少于30篇,近5年文献占比≥50%。
示例:
期刊:
[1] 张某某, 李某某. 电子器件性能分析[J]. 电子器件, 2023, 46(5): 12-15.
书籍:
[2] IEEE. 电子工程手册[M]. 北京: 电子工业出版社, 2020: 45-50.
三、伦理与声明
伦理审批
涉及人体或动物的研究需注明伦理审查批号,并附机构伦理委员会批准文件。
技术报告需提供实验数据及分析。
基金标注
注明资助项目(如“国家自然科学基金项目(No. XXXXXX)”),置于首页脚注。
作者贡献声明
明确各作者贡献(如实验设计、数据分析、论文撰写等)。
联系方式
地 址:南京市四牌楼2号
邮政编码:210096