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《半导体光电》（双月刊）创刊于1976年，由中国电子科技集团公司第四十四研究所（重庆光电技术研究所）主办。专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主要栏目
动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光电技术及应用
收稿范围
1. 半导体材料与器件
半导体材料：硅、锗、砷化镓、氮化镓等材料的生长、特性与应用。
光电器件：LED、激光二极管、光电探测器、太阳能电池等器件的设计与制造。
2. 光电技术与应用
光电显示技术、光电存储技术、光电传感技术等。
光电技术在通信、医疗、军事等领域的应用。
3. 光电子集成与系统
光电子集成技术、光电混合集成技术等。
光电系统的设计与实现。
4. 光电测量与仪器
光电测量技术、光电仪器设计与应用。
光电测试方法与标准。
5. 光电信息处理
光电信息获取、处理、传输与显示技术。
光电图像处理与模式识别。
6. 其他相关领域
光电技术的新理论、新方法、新材料。
光电技术的产业化与市场分析。
杂志格式要求
一、基本结构要求
标题
中英文对照，简明扼要，不超过20字。
避免使用缩写或代号。
作者信息
署名作者需提供中文姓名、单位全称（至二级部门，如“XX大学电子工程系”）、所在城市及邮编。
通讯作者标注“*”，并附邮箱和联系电话。
摘要与关键词
中文摘要：结构式摘要（目的、方法、结果、结论），300字以内。
英文摘要（与中文对应）：包括标题、作者姓名（拼音）、单位英文名称。
关键词：3~8个，中英文对照，优先选用《电子科学与技术主题词表》中的术语。
正文格式
研究论文：按“引言（背景与目的）→材料与方法→结果→讨论→结论”顺序撰写。
综述：需体现系统性，包含研究进展、争议问题及未来方向。
技术报告：需附实验数据及分析。
二、具体格式细节
文字与排版
中文使用宋体，英文使用Times New Roman，字号12磅，1.5倍行距。
正文层次标题用“1、1.1、1.1.1”分级编号，左顶格。
图表要求
表格：采用三线表，序号按“表1、表2”排序，中英文标题置于表上方。
图片：清晰原图（分辨率≥300 dpi），格式为JPG/TIFF，序号按“图1、图2”排序，中英文标题置于图下方。
图表中数据需与正文一致，避免重复。
计量单位
采用国际单位制（SI），如“mA/cm²”“nm”等，勿使用“毫安/平方厘米”等非标准表达。
统计学符号（如
t检验、P值）用斜体。
参考文献
格式：参照《GB/T 7714-2015》标准，采用顺序编码制。
数量：研究论文不少于15篇，综述不少于30篇，近5年文献占比≥50%。
示例：
期刊：
[1] 张某某, 李某某. 半导体激光器特性研究[J]. 半导体光电, 2023, 44(3): 12-15.书籍：
[2] Smith J. Semiconductor Optoelectronics[M]. New York: Springer, 2020: 45-50.
三、伦理与声明
伦理审批
涉及人体或动物的研究需注明伦理审查批号，并附机构伦理委员会批准文件。
技术报告需提供实验数据及分析。
基金标注
注明资助项目（如“国家自然科学基金项目（No. XXXXXX）”），置于首页脚注。
作者贡献声明
明确各作者贡献（如实验设计、数据分析、论文撰写等）。
联系方式
地 址：重庆市南岸区南坪花园路14号
邮政编码：400060
鄂公网安备42018502007910号
